型号：FB6R06VE3ENG
功能描述：IGBT 模块
RoHS：否
制造商：Infineon Technologies
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：1.95 V
在25 C的连续集电极电流：230 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：445 W
最大工作温度：+ 125 C
封装 / 箱体：34MM
封装：
FB6S015JA1
FB6S015JA1R3000
FB6S017JA1
FB6S017JA1R3000
FB6S021JA1
FB6S021JA1R3000
FB6S025JA1
FB6S025JA1R3000
FB6S027JA1
FB6S027JA1R3000
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